De nouveaux matériaux
pour l'électronique de demain - Le pôle
d'excellence MaNEP au cœur d'une collaboration
internationale publiée par Nature
Dans sa livraison du mois de septembre, le magazine Nature publie un article du prof. Jean-Marc Triscone de la Section de physique de l'Université de Genève consacré aux progrès dans le domaine des effets de champ. Etabli en collaboration avec deux chercheurs, un américain et un allemand, respectivement issus des prestigieuses universités de Yale et d'Augsburg, ce rapport fait état des dernières avancées dans le développement de transistors à effet de champ basés sur de nouveaux matériaux : les oxydes complexes. Un sujet de recherche "brûlant ", activement poursuivi dans le cadre du Pôle de recherche national MaNEP, et qui pourrait bien être à la base de certains dispositifs électroniques du futur. Cette collaboration internationale témoigne, une nouvelle fois, de la capacité des scientifiques de l'UniGE à faire dialoguer des savoirs complémentaires dans un domaine d'investigation pointu comme la physique des nouveaux matériaux. Avec chaque année un milliard de milliards de composants fabriqués pour faire fonctionner nos ordinateurs, voitures et téléphones portables, le transistor à effet de champ est au cœur de l'électronique. Basé aujourd'hui sur le silicium, ce dispositif fonctionne par application d'un champ électrique qui modifie la résistance du canal semi-conducteur. C'est à cette perspective de recherche que l'article des prof. J.-M. Triscone de l'Université de Genève, C.H. Ahn de l'Université de Yale et J. Mannhart de l'Université d'Augsburg, publié dans le dernier numéro de la revue Nature, est consacré. Il fait en effet le point sur l'idée d'appliquer la technique d'effet de champ à de nouveaux matériaux. Forts d'un effort international aussi riche, les scientifiques y montrent notamment que l'application de champ électrique à des matériaux plus complexes, tels que les oxydes supraconducteurs ou à magnétorésistance colossale, peut conduire à des effets spectaculaires et à de nouvelles applications incluant par exemple des interrupteurs nanoscopiques, des nano transistors, ou de nouvelles structures mémoires. Des percées dans une électronique qui travaille aujourd'hui à l'échelle du millionième de millimètre sont aussi difficiles que prometteuses. A long terme, ce type de recherche a pour objectif le développement de la rapidité, ainsi que de la puissance d'ordinateurs qui, dans l'état actuel de la technologie, commencent à atteindre leurs limites. Cette puissance de calcul est, par exemple, aujourd'hui nécessaire à la résolution de problèmes de plus en plus complexes, telles que ceux rencontrés dans le cadre de la recherche spatiale, des simulations météorologiques, de la création d'images de synthèses ou de la recherche en matériaux. Débutés vers la fin des années
80, les travaux sur les effets de champ dans les
oxydes sont aujourd'hui poursuivis activement dans
de nombreux laboratoires du monde et en particulier
à Genève dans le cadre du Pôle
de recherche national MaNEP où des expériences
pionnières dans l'effet de champ ferro-électrique
ont été réalisées. Ces
derniers résultats sont peut-être des
signes avant-coureurs d'une révolution à
laquelle l'Université de Genève, à
travers les activités de recherche et les
collaborations de son Pôle d'excellence, entend
bien participer. Pour obtenir de plus amples informations,
n'hésitez pas à contacter
|
| |
|